全球前十名的閃存制造商是?
全球前十名的閃存制造商是?
全球芯片制造業(yè)與**芯片制造現(xiàn)狀 [一]全球范圍內(nèi)主要存在兩種服務(wù)模式:**種是IDM(Integrated Device Manufactrue)模式，另一種是晶圓代工(Foundry)模式。 IDM 模式的特點(diǎn)是，企業(yè)經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋了芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測(cè)試等各環(huán)節(jié)，甚至延伸至下游終端。
美國(guó)和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要采用這一模式，典型的IDM大廠有:IBM 、三星、東芝、 NEC 等。
晶圓代工則是專業(yè)化分工的產(chǎn)物。在該模式下，晶圓代工廠只專注于 IC 制造環(huán)節(jié)，不涉足設(shè)計(jì)和封測(cè)，不推出自己的產(chǎn)品，只為設(shè)計(jì)公司(Fabless)和 IDM (委外訂單)提供代工服務(wù)，從而避免了與客戶之間直接的利益沖突。 計(jì)算機(jī)和手機(jī)對(duì)半導(dǎo)體商務(wù)保持了**的推動(dòng)作用， MP3音樂(lè)播放器受到廣大消費(fèi)者的歡迎，去年閃存芯片制造商的銷售收入獲得戲劇性增長(zhǎng)。去年全球半導(dǎo)體的銷售收入為2350億美元 2005年全球**前十名半導(dǎo)體制造商依次是：英特爾公司、三星電子公司、德州儀器公司、東芝公司、意法半導(dǎo)體公司、瑞薩科技公司、英飛凌公司、飛利浦公司、現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和 NEC公司。
全球半導(dǎo)體的銷售繼續(xù)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移，包括**、****、韓國(guó)和新加坡在內(nèi)的亞太地區(qū)的半導(dǎo)體銷售收入去年增長(zhǎng)了11%，在全球半導(dǎo)體銷售中所占的比例已經(jīng)達(dá)到44.5%。歐洲、中東和非洲是第二個(gè)增長(zhǎng)速度最快的地區(qū)，同比增長(zhǎng)了4%，北美增長(zhǎng)了1%，日本僅增長(zhǎng)了0.2%。 [二]**集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3420億元**幣。
IC制造方面，目前**在建的6 英寸線有8 條、5 英寸線有1 條，擬建6 英寸線有8 條。到2006 年底，國(guó)內(nèi)的6 英寸生產(chǎn)線和5 英寸生產(chǎn)線將分別達(dá)到21 條和9 條，其中大部分屬于外商投資企業(yè)。晶圓尺寸方面，從 2004年起200mm的產(chǎn)能增長(zhǎng)率就已經(jīng)比所有其它尺寸的晶圓要快(除300mm之外)。
但從晶圓片數(shù)來(lái)看，一直到2005年末，**大陸的晶圓產(chǎn)能仍由100mm和150mm主導(dǎo)。2006年，200mm的產(chǎn)能將超過(guò)所有其它尺寸的晶圓，真正成為市場(chǎng)的主流。 —SMIC(中芯國(guó)際)、HHNEC(華虹日電)及Grace(宏力)等。
8英寸圓片，0.18至0.25微米工藝批量生產(chǎn)水平，國(guó)外市場(chǎng)為主; —全球TSMC及UMC(聯(lián)電)外，尚有新加坡的Chartered(全球代工業(yè)第三，月產(chǎn)能力12萬(wàn)片)，南韓的東邦/亞南(2003年上半年，全球代工排名第四，營(yíng)收1.75億美元)，SMIC(全球第五，1.15億美元)以及馬來(lái)西亞的First Silicon，Silterra和以色列的Tower等。 —ASMC(先進(jìn))，華潤(rùn)上華及寧波中偉等，他們多用6英寸圓片，0.35至0.8微米工藝，主要市場(chǎng)也在國(guó)外。大多是合資企業(yè)。 —杭州士蘭是****家上市的民營(yíng)半導(dǎo)體企業(yè)，采用4至6英寸圓片，0.5至2.0微米工藝技術(shù)，以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主。
—沈陽(yáng)科希-硅技半導(dǎo)體技術(shù)**有限公司(Keysi-STL Semiconductor Manufacturing IstCo.Ltd in Shynyang)是渾南新區(qū)注冊(cè)成立的外商獨(dú)資企業(yè)。該公司由美國(guó)科希國(guó)際公司(Keysi International，Inc.)和韓國(guó)Silicon Tech Limited聯(lián)合創(chuàng)辦，主要從事微電子技術(shù)開(kāi)發(fā)，集成電路芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試。 科希-硅技的芯片制造一廠主要生產(chǎn)6英寸手機(jī)用FBAR通訊芯片和兩英寸藍(lán)白光二級(jí)管W／B LED。目前，世界上只有美國(guó)和韓國(guó)能生產(chǎn)FBAR，該項(xiàng)目的百科建設(shè)將使**成為世界上第三個(gè)生產(chǎn)FBAR的**。
科希-硅技沈陽(yáng)芯片制造二廠將生產(chǎn)8英寸晶圓項(xiàng)目(美中日韓合作)。主要產(chǎn)品為L(zhǎng)CD Module(液晶顯示模塊)，廣泛應(yīng)用于電腦和手機(jī)。 —英特爾預(yù)計(jì)投資20億美元的12英寸廠已經(jīng)選址大連 [三]整體而言，我國(guó)半導(dǎo)體硅材料行業(yè)規(guī)模還很小，自給能力嚴(yán)重不足，生產(chǎn)單晶硅所需要的多晶硅90%尚需從國(guó)外進(jìn)口;單晶硅產(chǎn)量雖然呈逐年穩(wěn)步上升趨勢(shì)，但跟國(guó)內(nèi)巨大的市場(chǎng)需求相比，市場(chǎng)缺口仍然很大。IC制造所需要的拋光片和外延片則絕大部分需要進(jìn)口。
我國(guó)生產(chǎn)的單晶硅58%是太陽(yáng)能級(jí)。目前國(guó)內(nèi)企業(yè)主要以生產(chǎn)4~6英寸硅片為主，還不能批量供應(yīng)8英寸以上硅拋光片。研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)的研硅股也只能少量生產(chǎn)8英寸陪片，12英寸拋光片處于研制階段。
多晶硅產(chǎn)品則僅有峨嵋半導(dǎo)體廠和洛陽(yáng)中硅能少量供應(yīng)，還遠(yuǎn)不能滿足國(guó)內(nèi)需求。
做手機(jī)內(nèi)存的上市公司有哪些
內(nèi)存顆粒廠家有：東芝，西門(mén)子，Micron美光（邁克龍），HY（現(xiàn)代），三星，NANYA（南亞），Infineon(英飛凌)，鈺創(chuàng)(EtronTech)，Winbond(華邦），LG，日立， 內(nèi)存貼牌廠家有：Corsair（海盜船），Kingston(金士頓)、Apacer(宇瞻)、金邦（GELL），Transcend(創(chuàng)建)，勝創(chuàng)KINGMAX，威剛，Kingtiger金泰克，SMART世邁等
什么是閃存？有什么用？
閃存的基本概念 閃存的英文名稱是\”Flash Memory\”，一般簡(jiǎn)稱為\”Flash\”，它也屬于內(nèi)存器件的一種。不過(guò)閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持，因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存則是一種不揮發(fā)性(Non-Volatile)內(nèi)存，在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
NAND閃存的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊，NAND的存儲(chǔ)塊大小為8到32KB），這種結(jié)構(gòu)**的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過(guò)512MB容量的NAND產(chǎn)品相當(dāng)普遍，NAND閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
NAND閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的I/O端口只有8個(gè)，比NOR要少多了。這區(qū)區(qū)8個(gè)I/O端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比NOR閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上NAND閃存的邏輯為電子盤(pán)模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門(mén)的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修正，可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。
三星、東芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND閃存制造商，其中三星電子憑借價(jià)格和技術(shù)雙重優(yōu)勢(shì)獲得了**領(lǐng)先的市場(chǎng)份額，甚至在去年第三季度超過(guò)Intel公司成為全球**的閃存制造商。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)，NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)，NAND可望在2006年超過(guò)NOR成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。 數(shù)碼閃存卡：主流數(shù)碼存儲(chǔ)介質(zhì) 數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦、手機(jī)等數(shù)字設(shè)備是閃存最主要的市場(chǎng)。
前面提到，手機(jī)領(lǐng)域以NOR型閃存為主、閃存芯片被直接做在內(nèi)部的電路板上，但數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等設(shè)備要求存儲(chǔ)介質(zhì)具備可更換性，這就必須制定出接口標(biāo)準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)連接，閃存卡技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。閃存卡是以閃存作為核心存儲(chǔ)部件，此外它還具備接口控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來(lái)說(shuō)可以和閃盤(pán)歸為一類，只是閃存卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤(pán)則使用通行的USB接口。由于歷史原因，閃存卡技術(shù)未能形成業(yè)界統(tǒng)一的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，許多廠商都開(kāi)發(fā)出自己的閃存卡方案。
目前比較常見(jiàn)的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick記憶棒。 CF卡（CompactFlash） CF卡是美國(guó)SanDisk 公司于1994引入的閃存卡，可以說(shuō)是最早的大容量便攜式存儲(chǔ)設(shè)備。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm，相當(dāng)于筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。
CF卡內(nèi)部擁有獨(dú)立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設(shè)備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數(shù)多達(dá)五十針。這種連接方式穩(wěn)定而可靠，并不會(huì)因?yàn)轭l繁插拔而影響其穩(wěn)定性。 CF卡沒(méi)有任何活動(dòng)的部件，不存在物理壞道之類的問(wèn)題，而且擁有**的抗震性能， CF卡比軟盤(pán)、硬盤(pán)之類的設(shè)備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應(yīng)3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當(dāng)于桌面硬盤(pán)的百分之五。
這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現(xiàn)之后便成為數(shù)碼相機(jī)的**存儲(chǔ)設(shè)備。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，CF卡技術(shù)已經(jīng)非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價(jià)格也越來(lái)越平實(shí)，受到各數(shù)碼相機(jī)制造商的普遍喜愛(ài)，CF卡目前在數(shù)碼相機(jī)存儲(chǔ)卡領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率排在第二位。 MMC卡 (MultiMediaCard) MMC卡是SanDisk公司和德國(guó)西門(mén)子公司于1997年合作推出的新型存儲(chǔ)卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多;其重量也多在2克以下，并且具有耐沖擊、可反復(fù)讀寫(xiě)30萬(wàn)次以上等特點(diǎn)。從本質(zhì)上看，MMC與CF其實(shí)屬于同一技術(shù)體系，兩者結(jié)構(gòu)都包括快閃存芯片和控制器芯片，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡里面，導(dǎo)致生產(chǎn)難度和制造成本都很高、價(jià)格較為昂貴。
MMC主要應(yīng)用與移動(dòng)電話和MP3播放器等體積小的設(shè)備，而由于體積限制，MMC卡的容量提升較為困難，目前MMC產(chǎn)品以128M容量為主，256MB、512MB主要供應(yīng)給數(shù)碼發(fā)燒友及特殊用戶使用。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)的極速1-2GB MMC存儲(chǔ)卡問(wèn)世，新標(biāo)準(zhǔn)的MMC多媒體存儲(chǔ)卡讀取速度**達(dá)到了150倍速（22.5MB/S），而寫(xiě)入速度也達(dá)到了驚人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)同樣和原有的MMC存儲(chǔ)卡及SD存儲(chǔ)卡插槽兼容，可廣泛使用在手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦、其他移動(dòng)數(shù)字設(shè)備等。MMC4.0標(biāo)準(zhǔn)由MMCA多媒體存儲(chǔ)卡協(xié)會(huì)在MMC3.2標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上推出的。
SD卡（Secure Digital） SD卡的英文全稱是Secure Digital Card，意為安全數(shù)碼卡，它由日本松下公司、東芝公司和美國(guó)SanDisk公司共同研制。SD卡仍屬于MMC標(biāo)準(zhǔn)體系，SD比MMC卡多了一個(gè)進(jìn)行數(shù)字版權(quán)保護(hù)的暗號(hào)認(rèn)證功能（SDMI規(guī)格），故而得名。 SD卡的尺寸為32mm×24mm×2.1mm，面積與MMC卡相同、只是略厚一些而已。
但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高達(dá)1GB的SD卡。不過(guò)當(dāng)前的主流還是64M、128M和256M容量，512MB以上的產(chǎn)品還相當(dāng)昂貴。讀寫(xiě)速度快是SD卡的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，它的**讀寫(xiě)速度已突破20MB/s、幾乎達(dá)到閃存讀寫(xiě)速度的極限。
此外，SD卡還保持對(duì)MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多數(shù)都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易于制造，在成本上有不少優(yōu)勢(shì)，SD卡得到了廣泛應(yīng)用，在MP3播放器、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦及便攜式攝像機(jī)，目前SD卡接口支持者除了東芝、松下和SanDisk外，還包括卡西歐、惠普、摩托羅拉、NEC、先鋒和Palm等公司。 SM卡（SmartMedia）與xD卡 SM卡被稱為\”智能型媒體卡\”，尺寸為37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能較為單一，用戶必須使用配有讀寫(xiě)及控制功能的專用設(shè)備才能對(duì)其操作，SM卡規(guī)范的升級(jí)變化比較大。
請(qǐng)問(wèn)華為ufs3.0手機(jī)有哪些
目前華為手機(jī)里面用了ufs3.0的，榮耀的v30和華為的mate30系列。ufs3.0是**的閃存存儲(chǔ)方案，主要面向智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，號(hào)稱可帶來(lái)媲美高端PCSSD固態(tài)硬盤(pán)的性能。
華為技術(shù)有限公司（HUAWEITECHNOLOGIESCO.,LTD.）是一家生產(chǎn)銷售通信設(shè)備的民營(yíng)通信科技公司，成立于1987年，總部位于**廣東省深圳市龍崗區(qū)。
華為作為全球領(lǐng)先的信息與通信技術(shù)（ICT）解決方案供應(yīng)商，專注于ICT領(lǐng)域，為運(yùn)營(yíng)商客戶、企業(yè)客戶和消費(fèi)者提供有競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品和服務(wù)，曾獲“2019**品牌強(qiáng)國(guó)盛典年度榮耀品牌”。 2007年合同銷售額160億美元，其中海外銷售額115億美元，并且是當(dāng)年**國(guó)內(nèi)電子行業(yè)營(yíng)利和納稅**。截至到2008年底，華為在國(guó)際市場(chǎng)上覆蓋100多個(gè)**和地區(qū)，全球排名前50名的電信運(yùn)營(yíng)商中，已有45家使用華為的產(chǎn)品和服務(wù)。華為的產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)應(yīng)用于全球150多個(gè)**，服務(wù)全球運(yùn)營(yíng)商50強(qiáng)中的45家及全球1/3的人口。
什么叫手機(jī)閃存？
閃存閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。
由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。概念閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。因?yàn)殚W存不像RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）一樣以字節(jié)為單位改寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。
根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商和不同的應(yīng)用，閃存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤(pán)（MICRODRIVE）這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的。技術(shù)特點(diǎn)NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個(gè)比方說(shuō)，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價(jià)格比較貴，容量比較小;而NAND型更像硬盤(pán)，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤(pán)的所有信息都通過(guò)一條硬盤(pán)線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫(xiě)的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大;NAND型閃存主要用來(lái)存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤(pán)、數(shù)碼存儲(chǔ)卡都是用NAND型閃存。
單片機(jī)閃存這里我們還需要端正一個(gè)概念，那就是閃存的速度其實(shí)很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤(pán)的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問(wèn)方式慢得多。因此，不要以為閃存盤(pán)的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤(pán)采用USB2.0接口之后會(huì)獲得巨大的性能提升。前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計(jì)和接口設(shè)計(jì)有關(guān)，它操作起來(lái)確實(shí)挺像硬盤(pán)（其實(shí)NAND型閃存在設(shè)計(jì)之初確實(shí)考慮了與硬盤(pán)的兼容性），它的性能特點(diǎn)也很像硬盤(pán)：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲(chǔ)介質(zhì)大的多。
這種性能特點(diǎn)非常值得我們留意。閃存存取比較快速，無(wú)噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購(gòu)置的話可以不考慮太多，同樣存儲(chǔ)空間買閃存。
如果需要容量空間大的（如500G），就買硬盤(pán)，較為便宜，也可以滿足用戶應(yīng)用的需求。分類按種類分U盤(pán)、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe閃存卡按品牌分金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創(chuàng)見(jiàn)、愛(ài)國(guó)者、紐曼、威剛、聯(lián)想、臺(tái)電、微星、SSK?！綨AND型閃存】?jī)?nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié)）。
每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資Sandisk料當(dāng)中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是（512+16）字節(jié)的頁(yè)面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到（2048+64）字節(jié)。NAND型閃存以塊（sector）為單位進(jìn)行擦除操作。
閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫(xiě)入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁(yè)（page），容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁(yè)時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁(yè)，容量128KB。每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說(shuō)的512字節(jié)。但較大容量的NAND型閃存也越來(lái)越多地采用16條I/O線的設(shè)計(jì)，如三星編號(hào)K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是（256+8）×16bit，還是512字節(jié)。
尋址時(shí)，NAND型閃存通過(guò)8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔堪鼈魉?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁(yè)，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個(gè)時(shí)鐘周期。NAND的地址信息包括列地址（頁(yè)面中的起始操作地址）、塊地址和相應(yīng)的頁(yè)面地址，傳送時(shí)分別分組，至少需要三次，占用三個(gè)周期。
隨著容量的增大，地址信息會(huì)更多，需要占用更多的時(shí)鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)就是容量越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。而且，由于傳送地址周期比其他存儲(chǔ)介質(zhì)長(zhǎng)，因此NAND型閃存比其他存儲(chǔ)介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫(xiě)請(qǐng)求。[1] 而比我們平常用的U盤(pán)存儲(chǔ)量更大，速度更快的閃存產(chǎn)品要屬PCIe閃存卡了，它采用低功耗，高性能的閃存存儲(chǔ)芯片，以提高應(yīng)用程序性能。
由于它們直接插到服務(wù)器中，數(shù)據(jù)位置接近服務(wù)器的處理器，相比其它通過(guò)基于磁盤(pán)的存儲(chǔ)**路徑來(lái)獲取信息大大節(jié)省了時(shí)間。企業(yè)正在轉(zhuǎn)向這種技術(shù)以解決存儲(chǔ)密集型工作負(fù)載，比如事務(wù)處理應(yīng)用。在PCIe閃存卡方面，LSI公司新的Nytro產(chǎn)品，擴(kuò)大其基于閃存的應(yīng)用加速技術(shù)到各種規(guī)模的企業(yè)。LSI推出了三款產(chǎn)品，到一個(gè)正變得越來(lái)越擁擠的PCIe閃存適配器卡市場(chǎng)。
LSI Nytro產(chǎn)品戰(zhàn)略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用閃存存儲(chǔ)、LSI的SAS集成控制器和來(lái)自公司收購(gòu)的閃存控制器制造商SandForce的技術(shù)。其第二代基于PCIe的應(yīng)用加速卡容量從200GB到3.2TB不等。Nytro XD應(yīng)用加速存儲(chǔ)解決方案的軟件和硬件的組合。
它集成了WarpDrive卡與Nytro XD智能高速緩存軟件，以提高在存儲(chǔ)區(qū)域**(SAN)和直接附加存儲(chǔ)(DAS)實(shí)現(xiàn)中的I/O速度。**，還有Nytro MegaRAID應(yīng)用加速卡，它結(jié)合了MegaRAID控制器與板載閃存和緩存軟件，LSI公司將Nytro MegaRAID的定位面向低端，針對(duì)串行連接SCSI(SAS)DAS環(huán)境的性能增強(qiáng)解決方案。微軟的SQL Server產(chǎn)品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的閃存產(chǎn)品在微軟服務(wù)器環(huán)境中的未來(lái)。因?yàn)?LSI的閃存產(chǎn)品Nytro MegaRAID可以幫助微軟SQL實(shí)現(xiàn)了每秒交易的10倍增長(zhǎng)，[1] “閃存存儲(chǔ)技術(shù)，如LSI的Nytro應(yīng)用加速產(chǎn)品組合，可以用來(lái)加速關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的聲明中表示“隨著微軟將在Windows Server 8中提供的增強(qiáng)，這些技術(shù)的重要性將繼續(xù)增長(zhǎng)。
”存儲(chǔ)原理要講解閃存的存儲(chǔ)原理，還是要從EPROM和EEPROM說(shuō)起。EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過(guò)特殊手段擦去，然后重新寫(xiě)入。其基本單元電路（存儲(chǔ)細(xì)胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡(jiǎn)稱為FAMOS。
它與MOS電路相似，是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過(guò)歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無(wú)直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮。
